簡要描述:DRE-2C瞬態(tài)平面熱源法導(dǎo)熱系數(shù)測定儀采用瞬態(tài)平面熱源法,主要測量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù),用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測定儀。
產(chǎn)品分類
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品牌 | 其他品牌 | 價格區(qū)間 | 1萬-5萬 |
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儀器種類 | 瞬態(tài)平面熱源法 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
重復(fù)性 | 3% | 導(dǎo)熱系數(shù)測試范圍 | 0.0100—500W/m·k |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 地礦,能源,建材,冶金,綜合 |
瞬態(tài)平面熱源法導(dǎo)熱系數(shù)測定儀
DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測試儀(瞬態(tài)平面熱源法)
DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測試儀采用瞬態(tài)平面熱源法,主要測量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù),用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測定儀。
Hot Disk法的優(yōu)點有:
(1)直接測量熱傳播,可以節(jié)約大量的時間;
(2)不會和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響;
(3)無須特別的樣品制備,只需相對平整的樣品表面。
瞬態(tài)平面熱源法導(dǎo)熱系數(shù)測定儀
主要技術(shù)指標(biāo):
1、導(dǎo)熱系數(shù)測定范圍:0.0100—500W/mk,分辨率:0.0001 W/(m·K);
2、熱擴(kuò)散系數(shù)(導(dǎo)溫系數(shù))范圍: 0. 1~100 m2/s;
3、蓄熱系數(shù)范圍: 0.1~30 w/(m k);
4、比熱容范圍: 0.1~5 kJ/(kg. ℃);
5、熱阻范圍: 0.5~0.000005 mm2*k/w;
6、溫度測量精度:<0.001℃,
7、測量時間:1-600秒,
8、測量相對誤差:≤3%;重復(fù)性誤差:≤ 3%;
9、溫度范圍:標(biāo)準(zhǔn)測量:室溫,可根據(jù)客戶要求選配各種溫度段的測試溫度,如室溫~150℃選配恒溫實驗箱,-40℃~100℃選配高低溫實驗箱等,費用另計;
10、樣品尺寸:樣品尺寸:不小于30*30*7.5mm;單層不夠的可多層疊加檢測,相對平整的樣品表面,粉體材料可用直接插入探頭檢測;
11、儀器參考標(biāo)準(zhǔn):ISO 22007-2008及GB/T32064-2015建筑用材料導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴(kuò)散系數(shù)瞬態(tài)平面熱源測試法.
12、操作方便,測試速快,僅需將測試探頭夾在兩塊試樣塊中間,通過簡單的軟件點擊操作即能獲得被測試樣的導(dǎo)熱系數(shù)。
13、電源:電壓220V;頻率50Hz;功率<500W,
14、通訊接口:USB接口。
探頭技術(shù)指標(biāo):
1. 加熱材料:金屬鎳;
2. 使用溫度:-50~150℃;
3. 最大功率:20w;
4. 最大電壓:20V;
5. 最大電流:1A;
6. 電阻:10Ω左右,依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn);
7. 鎳絲規(guī)格:厚度0.01mm,熱絲寬度:0.35±0.03mm;熱絲間距:0.35±0.03mm ;
8. 保護(hù)層材料:聚酰亞胺薄膜(Kapton);單層厚度:0.06mm
9. 探頭直徑:7.5mm或15mm,兩種規(guī)格任選;
10. 探頭總厚度(包括粘結(jié)層厚度)0.07±0.02mm。
儀器配置:含DRE-2C測試主機(jī)1臺,測試探頭1個,測試軟件1套,通訊接口及數(shù)據(jù)線1套,樣品夾具1個,需方自備電腦,如需選配恒溫裝置,費用另計。
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